Kauf einer DRIE/ RIE-Anlage (Plasmaätzanlage)
Titre original de l'avis
Germany – Laboratory, optical and precision equipments (excl. glasses) – Kauf einer DRIE/ RIE-Anlage (Plasmaätzanlage)
Score d'opportunité
Pourquoi ce score ?
Opportunité
50 / 100
Complexité
85 / 100
Facteurs de risque
No estimated contract value or budget is provided, making it difficult to assess bid viability and competition level.
Very detailed and stringent technical specifications (etch rates, profile, endpoint detection, software standards) may...
Analyse approfondie du portefeuille
Utilise:
- Description
- Industries & Services
- Capabilities
- Market & Experience
- Certifications
Aperçu
Moderate opportunityFaits clés
- Supplies contract
- 1 lot
- Duration 50 WEEK
- Supply of a DRIE/RIE plasma etching system for 100mm and 150mm wafers
- Bosch process capability with silicon removal rate up to 2.5 mm³/s
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Open tender by Westsächsische Hochschule Zwickau for a DRIE/RIE plasma etching system (including substrate electrode, edge protection, notching control, endpoint detection, software, installation, and training). Delivery to Zwickau, Germany, within 50 weeks. The tender appears to be for a single lot despite structured data showing three lots (likely a data extraction issue). Award criteria: 30% price, 60% fulfillment of performance parameters, 10% delivery time. Selection criteria require an application lab within 12 hours travel from Zwickau. No estimated value disclosed. Submission deadline 2026-07-10, electronic submission only, German language. Procurement documents not analyzed.
Risques
No estimated contract value or budget is provided, making it difficult to assess bid viability and competition level.
Very detailed and stringent technical specifications (etch rates, profile, endpoint detection, software standards) may...
L'analyse peut être incomplète
Seule une partie des documents de consultation a été analysée. Des exigences, certificats ou documents de soumission supplémentaires peuvent exister dans les documents restants.
Exigences clés
Technical
- System must process 100mm and 150mm wafers (with/without flat, notch)
- Silicon etch rate ≥10 µm/min in acceptance test
- Sidewall deviation ≤10 µm from tangent
Les exigences peuvent être incomplètes.
Critères d'attribution
Lot 1
Acheteur
Localisation
Zwickau, DEU
Site web
Profil acheteur
Identifiant
14-1215011WHZ01-34
Activité
Education
Lots (1)
LOT-0001
Kauf einer DRIE/ RIE-Anlage (Plasmaätzanlage)
Supply of a DRIE/RIE system for silicon deep etching and RIE of thin dielectrics, including all components (process chamber, ICP source, gas lines, pumps, etc.), electrostatic chuck, edge protection, notching control, endpoint detection (optical emission), software with SEMI E95 compliance, installation, and training. Acceptance test with specific etch rate and profile requirements. Delivery to Zwickau, max 50 weeks after order.
Localisation
Durée
Catégorie
Critères d'attribution
Date limite
Détails des critères
Preiskriterium
Erfüllung der Leistungsparameter
Lieferzeit
Codes CPV supplémentaires
Note sur la valeur
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Description TED originale
- Die Funktion ist innerhalb der Inbetriebnahme an Silizium-Wafern mit einer Dicke von mindestens 380µm mit einem Ätzstopp auf 1500-2500nm thermischem Siliziumdioxid nachzuweisen. Der Nachweis erfolgt durch eine Überätzung von rechnerisch >10µm nach Erreichen des Endpunktes. - Als Ätzmaske bei diesem Abnahmetest dient ebenfalls 1500-2500nm thermisches Siliziumdioxid mit geöffneten Strukturen von 250x250µm (+/-10µm) in einem x / y-Pitch von 3000µm, gleichverteilt über den Wafer. - Die Wafer werden durch den Auftraggeber im Rahmen des SAT (Anlagenabnahme am Bestimmungsort) zur Verfügung gestellt. - Die Parameter sind bei einem 100mm Wafer, innerhalb des 90mm durchmessenden Kernbereichs und bei einem 150mm Wafer innerhalb des 140mm Kernbereichs nachzuweisen (je 5mm Randausschluss). - Die durchschnittliche Ätzrate, ab dem Start der Ätzung, muss bei dem Test min. 10µm/min betragen. - Die einseitige Abweichung von der Tangente der Ätzflanke darf bei keiner Struktur mehr als 10µm betragen. 05 1 Endpunktdetektion Die Prozessüberwachung und die Endpunktkontrolle muss über die optische Analyse der Plasmaemission anhand der charakteristischen Emissionslinien erfolgen. Es muss mindestens der Bereich von 250 - 850nm zur Auswertung zugänglich sein. - Die Endpunktdetektion ist in Auflösung und Empfindlichkeit so zu realisieren, dass der Endpunkt auch bei geringen offenen Flächen <5% sicher detektiert wird. - Es sollen mindestens folgende Endpunktdetektionen bei max. 5% offener Fläche möglich sein: o Silizium-Ätzung mit Endpunkt auf SiO2 o Silizium-Ätzung mit Endpunkt auf Al o Silizium-Ätzung mit Endpunkt auf Photoresist o SixNy-Ätzung mit Endpunkt auf SiO2 o SixNy-Ätzung mit Endpunkt auf Si o SiO2-Ätzung mit Endpunkt auf Si 06 1 Software und Anlagensteuerung - Die Bediensoftware muss mindestens die folgenden Nutzerniveaus enthalten: o Bediener dem nur der Start bereits vorhandener Rezepte gestattet ist. o Ingenieur dem zusätzlich das Erstellen und Ändern von Rezepten gestattet ist (wahlweise mit Passwortschutz durch den Kunden). o Service den zusätzlich die manuelle Steuerung der Anlage und die Umgehung von Interlocks gestattet ist (wahlweise mit Passwortschutz durch den Kunden). - Wird als Betriebssystem Microsoft Windows eingesetzt, muss dieses auf Version 11 oder 10 LTSC basieren. - Die Bediensoftware muss einen automatisierten Leckagetest und MFC-Funktionstest enthalten. - Das Steuerungskonzept muss auf einer Direct One-to-one Verbindung zu den Sensoren und Aktoren basieren (Ein Steuerungskanal zu einem Sensor oder Aktor) - Es muss eine kanalweise Diagnostik für die Steuerungskanäle vorhanden (on/off) und die entsprechende Status Informaton (OK, Kurzschluss, Unterbrechung) - Das Datalogging muss in Intervallen ? 250 ms möglich sein. - Für die genaue Kontrolle der zeitlichen Abfolge in den Prozessen müssen Prozessschritte bis zu einer Gesamtlänge von ? 10 ms definiert werden können. - Die Anzahl der anlegbaren Prozessrezepte soll nicht anlagenseitig auf einen Wert kleiner 5000 begrenzt sein. - Die Softwarelösung muss SEMI E95 konform gestaltet sein. 07 1 Installation/Schulung - Installation der Soft- und Hardware - Grundschulung der Anwender (Bedienung der Soft- und Hardware, Umgang mit Betriebsmitteln, In- und Außerbetriebnahme, Wartung) - Zur Anlage ist ein Bedienerhandbuch, Servicehandbuch und Stromlaufplan in deutscher oder englischer Sprache zu liefern. 08 1 Geforderte Prozessprameter und deren Überprüfbarkeit Der Anbieter muss bestätigen, dass er über ein Applikationslabor verfügt, welches mittels öffentlicher Verkehrsmittel, einem PKW oder der Kombination beider innerhalb von 12h vom Bestimmungsort aus erreichbar ist. Innerhalb dieses Applikationslabors muss mindestens eines der angebotenen Systeme (mit den nicht optionalen Grundfunktionalitäten) betrieben werden und für Anlagentests zur Verfügung stehen. Zudem behält sich der Käufer vor, die angegebenen Parameter an dieser Anlage innerhalb des Evaluationsprozesses der Angebote vor Ort bei dem Anbieter zu überprüfen. Auf Anfrage muss diese Überprüfung innerhalb einer Woche nach Ankündigung möglich sein. Geforderte Prozessparameterkombinationen lt. Leistungsbeschreibung. Die geforderten Prozesse mit den entsprechenden Parametern sind in geeigneter Form (z.B. wie die innerhalb der in dieser Ausschreibung im Leisrtungsverzeichnis FB 27 verwendete Tabelle) dem Angebot beizufügen. 09 1 Verpackung / Transport / Abladen / Einbringen / Leistungsort: Westsächsische Hochschule Zwickau Hochtechnologiezentrum Peter- Breuer-Straße 5-11 08056 Zwickau Lieferung nach Incoterms 2020 DAP oder DDP, Fracht bis zur ebenerdig und rollend mit erreichbaren Entladestelle an der Lieferzufahrt Dr.-Friedrichs-Ring 2C, 08056 Zwickau, Deutschland Lieferzeit: max. 50. KW nach Beauftragung
Détails de la procédure
- Date de publication
- 04 Jun 2026
- Langues
- German
Métadonnées de référence
- Base juridique
- 32014L0024
Identifiants de référence
- ID de l'appel d'offres
- 388383-2026
Documents (2)
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Score d'opportunité
Pourquoi ce score ?
Opportunité
50 / 100
Complexité
85 / 100
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